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SK海力士宣布业内首款4D闪存

导读: 从现场给出的技术演示来看,4D闪存和此前长江存储的Xtacking十分相似,只不过外围电路(PUC,Peri.Circuits)在存储单元下方,好处有三点,一是芯片面积更小、二是处理工时缩短、三是成本降低。

正在美举办的Flash Memory Summit首日已经结束,亮点颇多。

Keynote环节,倒数第二个出场(排在我国的长江存储前)的是SK海力士,它在NAND市场的全球份额排名第五,DRAM份额全球第二。

首先是3D NAND的技术路线选择,SK海力士称,CTF(Charge Trap Flash,电荷捕获型)比Floating Gate(浮栅型)存储单元面积更小、速度更快、更耐用(P/E次数多)。

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其实三星从2013年的第一代V-NAND 3D闪存就开始使用CTF了,东芝/西数(闪迪)的BiCS亦是如此。当然,美光/Intel还是坚持浮栅,不过这倒无所谓,毕竟他们有更厉害的3D Xpoint(基于相变内存,还一说是ReRAM磁阻式内存)。

接下来,SK海力士宣布推出了全球首款4D闪存。

从现场给出的技术演示来看,4D闪存和此前长江存储的Xtacking十分相似,只不过外围电路(PUC,Peri.Circuits)在存储单元下方,好处有三点,一是芯片面积更小、二是处理工时缩短、三是成本降低。

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参数方面,号称业内第一款4D闪存是V5 512Gb TLC,采用96层堆叠、I/O接口速度1.2Gbps(ONFi 4.1标准)、面积13平方毫米,今年第四季度出样。

BGA封装的可以做到1Tb(128GB),模组最大2TB,塞到2.5寸的U.2中更是可以做到64TB,2019年上半年出样。

性能方面,V5 4D芯片面积相较于V4 3D减小20%、读速提升30%、写速提升25%。

另外,V5 4D也规划了QLC闪存,通过96层堆叠,单Die最小1Tb,明年下半年出样。

展望

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SK海力士内部的4D闪存已经推进到了128层堆叠,很快可以做到单芯片512GB,2025年做到单芯片8TB。目前,SK海力士的3D NAND是72层堆叠,单芯片最大512Gb(64GB),首款企业级产品PE4010已于今年6月份出货给微软Azure服务器。

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