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本周你该了解的国内外存储大事件

2019-03-25 09:46
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2019年3月18日-3月22日

国内外存储资讯精选

本期关键词:SSD,DRAM,美光,ASML,金士顿,三星

3月

2019

DRAM价格下跌 美光科技后市可期?

美光科技 (MU-US) (18 日)开盘走低后回涨,一度触及每股 40.41美元高点后,持续震荡,截稿前暂报每股 39.64美元。去年 12 月财报上,美光科技表示,由于云端运算客户的需求有所下降,加上供应过剩,导致芯片价格下滑,冲击第一季与第二季业绩表现。 由于市场普遍预计内存芯片的景气将于下半年复苏,美光股价今年迄今已上涨约 24%。

3月

2019

《瓦森纳协议》不攻自破?这几家大陆厂喜提ASML设备

曾经,一直传言受西方《瓦森纳协议》的限制,中国只能买到ASML的中低端产品,但ASML后来正式澄清,其最高端的EUV光刻机进口到中国大陆完全没有问题。

那么近两年来,大陆有哪些集成电路制造商引进了ASML的设备呢?

3月

2019

金士顿出货DC500系列企业级固态硬盘

作为存储市场的的巨头,金士顿2019年继续在企业级存储市场发力,推出DC500系列企业级SATA固态硬盘,目标客户是二级云服务提供商和系统集成商。金士顿新款DC500R和DC500M系列分别针对读取密集型、混合型工作负载,耐久性等级分别为每天0.5和1.3次驱动器写入。

3月

2019

三星电子第三代10纳米级DRAM开发成功

跟据三星电子官网消息,作为先进存储器技术的全球领导者,三星电子21日宣布第三代10纳米级(1z-nm)8GB超高性能和高功效的DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机存取存储器)。自开始批量生产第二代10nm级(1y-nm)8Gb DDR4以来仅仅16个月,三星不再使用Extreme Ultra-Violet(EUV)处理的情况下开发1z-nm 8Gb DDR4,说明三星突破了DRAM的扩展极限。

3月

2019

计算机存储领域二十年来唯一原创性发明专利,即将失效

本月,朗科科技发布2018年年报。根据朗科的年报,其核心基础发明专利“用于数据处理系统的快闪电子式外存储方法及其装置”将于8个月后“过期”。朗科的这项专利申请于1999年11月14日,专利权期满终止日为2019年11月14日。

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