国家存储器基地项目进展顺利，量产目标有望实现！
2019-08-05 08:23
来源：
IT之家
近日据中新社报道，上海宝冶承建的国家存储器基地项目（一期）二阶段工程项目中低压配电系统日前受电成功，终端机台的电力供给得到保证，完成芯片的量产目标指日可待。
据悉，国家存储器基地项目位于武汉东湖高新区武汉未来科技城。未来或将有3座全球单座面积最大的3D NAND Flash FAB厂房建成。国家存储器基地建成后将对众多芯片产业在设计、封装、制造、应用等相关环节起到带动作用。
据先前曝光的消息显示，长江存储先前投资10亿元的国产3D NAND闪存项目已获成功。今年的目标是量产64层堆栈的3D NAND闪存，如果进展顺利的话将有可能跳过三星、美光等公司的96层堆栈闪存技术直接发展128层堆栈的闪存技术进而实现弯道超车。
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