江波龙电子DDR5内存横空出世，内存速率最高可达6400Mbps

2021-03-18 09:21

深圳2021年3月17日／美通社／－－ 2021年是DDR内存技术升级换代的快速发展阶段，自2020年以来，5G、AI、汽车、电竞市场需求的居高不下，加速推动了DDR产品迭代以及技术升级。2020年7月中旬JEDEC固态存储协会正式发布DDR5 SDRAM内存标准规范后，DDR5新技术应用受到业内的关注以及专业领域的探索。

江波龙电子（以下简称“Longsys”）紧跟存储技术发展前沿，为了满足行业的专业人士以及广大用户对未来产品技术发展的期望，进而为存储行业应用的未来提供更多可能性，在今天正式发布Longsys DDR5内存模组产品（ES1）。此外，Longsys旗下技术型存储品牌FORESEE以及高端消费类存储品牌Lexar雷克沙也将为各自主要应用领域提供强有力的支持。

江波龙电子DDR5内存横空出世，多项实测数据首次对公众开放

江波龙电子DDR5内存产品

DDR5内存速率最高可达6400Mbps，是DDR4的两倍

此次DDR5的产品发布，涉及两款全新架构产品原型，分别是1Rank x8和2Rank x8标准型PC Unbuffered DIMM 288PIN On－die－ECC。相较于DDR4，DDR5在功能和性能上都得到了显著提升。

产品系列	DDR5 UDIMM	DDR5 UDIMM
容量	16GB	32GB
设计参考	JEDEC R／C A 0．50	JEDEC R／C B 0．51
设计架构	1Rank x8 ／ 288PIN	2Rank x8 ／ 288PIN
速度	4800Mbps	4800Mbps
延迟时序	CL 40	CL 40
VDD／VDDQ／VPP	1．1V／1．1V／1．8V	1．1V／1．1V／1．8V
工作温度	0摄氏度～＋95摄氏度	0摄氏度～＋95摄氏度
储存温度	－55摄氏度～＋100摄氏度	－55摄氏度～＋100摄氏度
DRAM P／N	MT60B2G8HB－48B：A	MT60B2G8HB－48B：A
DRAM 密度	16Gb（2Gx8）	16Gb（2Gx8）
PCB Layout	8 Layer	8 Layer
PCB 尺寸	133．35 ＊ 31．25 ＊ 1．27 mm	133．35 ＊ 31．25 ＊ 1．27 mm

全方位数据测试性能稳定突出

Longsys DRAM研发经过多年的潜心积累，在DDR5新一代产品上率先开展测试技术投入，此次测试特别选取了部分测试数据首次面向公众开放。其中，展示的测试实例采用了Intel AlderLake－S ADP－S CRB开发板，搭配Longsys DDR5 32GB内存模组，并配置Windows 10 Pro x64操作系统，分别通过鲁大师和AIDA64两个熟知的软件展示DDR5的真实数据。

江波龙电子DDR5内存横空出世，多项实测数据首次对公众开放

通过BIOS了解到DDR5新架构采用了两个完全独立的32位通道

1 鲁大师测试数据

首先呈现的是硬件配置，内存识别为Longsys ID。

通过鲁大师测试，Longsys DDR5 32GB的跑分高达19万分有余。

2 AIDA64测试数据

通过测试，能够获取到Longsys DDR5 32GB读／写／拷贝／延迟的性能跑分。

江波龙电子DDR5内存横空出世，多项实测数据首次对公众开放

为了更加直观地体现性能的提升力度，还加入了DDR4的测试对比。根据数据显示，Longsys DDR5在性能上实现了跨越式提升。

Production		Longsys DDR5 32GB 4800	Longsys DDR4 32GB 3200	各指标性能提升能力
CL		40	22	各指标性能提升能力
AIDA64	Read	35844	25770	40％
	Write	32613	23944	36％
	Copy	28833	25849	11％
	Latency	112．1	56．8	－－
鲁大师	内存跑分	193864	91757	110％

核心指标揭秘

Longsys DDR5新技术强大之处

功能／指标	技术／参数
纠错模式	支持On－die－ECC
预取模式	支持16n Prefetch模式（BL16）
端到端接收模式	扩展增加CA／CS类信号ODT
均衡模式	支持DFE技术（增强信号完整性）
电源管理模式	增加PMIC集成功能
刷新模式	支持SAME－BANK Refresh技术
通道模式	内置独立双通道机制
阵列分层模式	支持8个BG，共32个Banks

纠错能力增加

在优化DDR5 DRAM内核运算能力上，Longsys DDR5增加内置纠错码（ECC），全面实现数据纠错能力，进一步提高数据完整性，同时也缓解了系统错误校正负担并充分利用DRAM读写的高效机制。

增加16n的预取模式

BL16使得Longsys DDR5内存的并发性在DDR4的基础上提升了一倍，信号能够更完整高效地传递。本次DDR5 DIMM新架构采用了两个完全独立的32位通道，提高了并发性，并使系统中可用的内存通道增加了一倍。

端到端的接收模式的强化

在DDR5新技术应用中除了DQ／DQS／DM继续采用ODT功能，增加CA、CS类信号也使用了ODT。因此，Longsys DDR5内存进一步减少了信号脉冲的反射干扰效应，让信号传输更加纯净。

DDR5 Bank Group 翻倍

DDR5内存使Bank Group的数量增加了一倍，并且每个Group的Bank数量保持不变。Longsys DDR5 BG提供更少的访问延迟，加倍提高了系统的整体效率，允许更多页面同时被打开。

SAME－BANK Refresh刷新模式

Longsys DDR5根据标准还实现了一个新特性，称为SAME－BANK Refresh（同步刷新）。此命令允许刷新每个BG中的一个Bank，使所有其他Banks保持打开状态以继续正常操作。

FORESEE DDR5 内存模组产品（ES1）

未来的应用场景不断革新和进步，对存储技术提出了更严苛的要求，亦大大加速了DDR5发展进程，各大主流平台对于DDR5的支持也推进迅速。Intel方面预计今年第三季度就有支持DDR5的平台上市。而驱动DRAM内存市场向DDR5升级的动力来自对带宽有强烈需求的专业应用领域，比如服务器、云计算、数据中心、高性能计算机等应用领域均有望得到重点部署，此次迭代也为行业客户提供了更出色的内存解决方案。

Lexar雷克沙 DDR5 内存模组产品（ES1）

随着全球大量资本进入电竞市场，促进了电竞行业日渐普及与成熟，这也让电竞玩家对内存等电脑配件的性能有了更高的追求。而Lexar雷克沙 DDR5的面世，不仅能够助力电竞玩家拥有更流畅的电竞体验，亦能带动电竞行业的可持续性发展。非但如此，对于白领用户，特别是设计师、剪辑师等对设备性能有刚需的职业，Lexar雷克沙DDR5可有效提高办公效率，将更多时间留给创造性工作。

结语

尽管Longsys内存产品线起步较晚，但能够在技术创新的征途上愈战愈勇，源于Longsys专注存储行业20余年的技术底蕴，以及打造高品质存储产品的决心。截止2021年3月12日，Longsys申请专利总数达到838个，其中境外专利申请178项；已授权且维持有效专利411项、其中境外授权且维持有效专利83项；软件著作权65项。在紧握自主创新能力的同时，注重对知识产权的保护。

今年，Longsys内存产品线仍将精益求精，持续提供更多的DDR5产品规格和技术服务，助力行业客户、终端用户投入DDR5到未来的应用场景中，为存储生态领域增添色彩。