光刻机应该是国产半导体设备中最拖后腿的,必须突破才行!
按照海关数据,2021年,国内进口芯片金额近4400亿美元,创下了历史纪录,要知道在所有的进口的商品中,芯片金额占比高达28.6%,可见国内对于国外的芯片有多依赖。
所以这几年,大家有一个共同的希望,那就是国产芯片能够崛起,能够迅速的提高自给率,减少进口。
而基于当前大家都懂的外部形势,要想真正的减少进口,提高自给率,其实要求是国内半导体供应链能够崛起,特别是半导体设备,能够达到先进工艺,这样才不会被卡脖子。
那么问题就来了,目前所有国产半导体设备中,究竟哪一种是最落后的,最需要突破的?其实最落后的,就是大家最熟悉的光刻机。
我们知道芯片制造过程中,工序特别多,需要的半导体设备也特别多,但主要可以分为三个主要步骤,那就是单晶硅片制造、前道工序、
单晶硅片制造就是把砂子变成晶圆的过程,这一块目前国内有300mm的晶圆,可以用于10nm以下,所以这一块的国产设备,并不落后。
而前道工序这里有8个主要流程,分别是扩散、薄膜沉积、光刻、刻蚀、离子注入、CMP抛光、金属化、测试,所以至少有8种关键设备。
这8种关键设备里面,只有国产光刻机目前还在90nm,其它的设备大多到了28nm,甚至14nm的程度,有些甚至到了5nm,3nm,比如刻蚀机。
而后道工序主要是指封测这一块,目前国内有三大厂商,早就到了5nm,基本上国内也是处于全球先进水平的。
可见,综合起来看,真正最拖后腿的就是国产光刻机了,还在90nm,而芯片制造是遵循短板理论的,能够制造多少nm的芯片,取决于最落后的那一环,所以光刻机必须突破,所以永远拖后腿,严重阻碍国产芯片的崛起了。
原文标题 : 光刻机应该是国产半导体设备中最拖后腿的,必须突破才行

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