随着科技的发展，DIY行业又一次迎来了春天，各类产品层出不穷，而美光成为内存的老牌厂商，为无数玩家提供纵横游戏的尖端装备，近日，内部有消息称，美光已经开始研发16Gb容量的DDR5产品，并计划在2019年底量产。

作为DDR4内存的继任者，DDR5内存在性能上自然要高出DDR4一大截。近日，美光正式公布了DDR5内存的详细规格。

从美光公布的文件来看，DDR5内存将从8GB容量起步，最高可达单条32GB，I／O带宽能达到3．2－6．4Gbps，同时电压1．1V，内存带宽将为DDR4内存的两倍。

DDR5 SDRAM的主要特性是芯片容量，而不仅仅是更高的性能和更低的功耗。DDR5预计将带来4266至6400 MT ／ s的I ／ O速度，电源电压降至1．1 V，允许的波动范围为3％（即±0．033V）。每个模块使用两个独立的32／40位通道（不使用／或使用ECC）。此外，DDR5将具有改进的命令总线效率（因为通道将具有其自己的7位地址（添加）／命令（Cmd）总线），更好的刷新方案以及增加的存储体组以获得额外的性能。

事实上，Cadence甚至表示，与DDR4相比，改进的DDR5功能将使实际带宽提高36％，即使在3200 MT ／ s（此声明必须进行测试）和4800 MT ／ s速度开始，与DDR4－3200相比，实际带宽将高出87％。与此同时，DDR5最重要的特性之一将是超过16 Gb的单片芯片密度。

此外，美光还表示他们将在2018年成功流片DDR5内存样品，并将在2019年实现正式量产。

在日前美光公布的2018财年第四季度和全年财报中可以看出截止美光第四财季收入84．40亿美元（均按GAAP），同比增长37．5％，毛利率61．0％，同比提高10．3个百分点，净利润43．25亿美元，同比增长82．6％。

整个2018财年美光的财务报表更是异常抢眼：收入303．91亿美元，同比增长49．5％，毛利率58．9％，同比提高17．4个百分点，净利润141．35亿美元，同比大涨178％！

DRAM内存贡献了美光总收入的超过70％，是绝对的主力，而且同比增长了47％，毛利率更是高达恐怖的71％，而且均价还在稳定或微涨。NAND闪存收入占比也超过25％，增长21％，毛利率也有48％。

美光CEO Sanjay Mehrotra更是表示，在创纪录业绩的支撑下，美光已经成为仅次于Intel的美国第二大半导体企业。

作为半导体行业三大支柱的存储器产业，竞争的重点集中在制造工艺和产能，从而为有效降低成本，最终赢得市场提供保证，生产制造能力是存储器厂商的核心竞争力。

对于美光科技这家内存和储存巨擘来说，现在正值充满挑战的时期，因为他们已在储存领域落后于三星（Samsung）、海力士（SK Hynix）和东芝（Toshiba）等竞争对手。其混合内存立方体（Hybrid Memory Cube；HMC）和Automata处理器等突破性产品，未能取得明显的成长动能，再加上与英特尔（Intel）共同设计的3DXPoint内存延迟，而使得美光的收益被推迟至2020年。

美光科技的高层认为，深度学习的崛起将有助于推动对于内存和储存的需求。这笔1亿美元的创投基金将有助于美光科技利用AI趋势扩展该公司涉及的DRAM、NAND和NOR Flash内存等应用领域，其目标在于藉由投资于AI的硬件、软件和服务，从而推动该公司的成长，特别是在该公司看好的自动驾驶、AR／VR以及工厂自动化等技术领域。