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狂砸133万亿 三星欲赶超台积电?

在如今的半导体晶圆代工市场上,台积电一路领跑,占据着主导地位。同样在晶圆代工方面实力强劲的三星,最近几年更是卯足了劲和台积电争夺先进制程工艺市场的话语权。随着格芯(GF)、联电的退出,以及英特尔在技术方面一直难有大的突破,只剩下台积电和三星在你追我赶,二者之间的博弈一直是业界的热门话题。

台积电对三星:针尖对麦芒

成立于1987年的台积电(TSMC),是全球第一家专业积体电路制造服务(晶圆代工foundry)企业,总部与主要工厂位于台湾新竹科学园区。经过三十多年的发展,台积电已经发展成为世界第一代工厂,许多家喻户晓的手机电脑芯片,如华为麒麟980、苹果A12、高通骁龙855处理器等,都是由台积电代为加工。

在全球晶圆代工领域,作为台积电的四大竞争对手之一的三星,也是一个实力强劲的对手,而与台积电不同的是,三星半导体属于目前为数不多的IDM(Integrated Device Manufacture,集成器件制造)厂商,从IC设计、IC制造、封装测试等各环节,乃至最后的终端应用均由自己所掌控,拥有极其强大的资源整合能力,尤其是三星拥有的全产业链,不但可以提供代工服务,庞大的手机以及其他的终端需求也让自家的晶圆代工根本不愁订单。

一直以来,台积电与三星的之间的关系可以说是针尖对麦芒,二者的竞争非常激烈。

晶圆代工领域的你追我赶

在16nm/14nm芯片制造中,台积电与三星打的难解难分,两大巨头也各自拥有着稳定的订单,台积电成功拿下苹果A12的订单,三星则与IBM达成合作,二者可以说是平分秋色。但是台积电利用自身技术优势和体制优势,率先实现初代7nm芯片的量产,成为市面上已量产的最先进制程,新技术一经推出就为台积电抢占了大量的市场份额,一夜之间就把势均力敌的对手三星甩在了后面,占有了7nm芯片市场的绝对主导权,华为、苹果、高通都与其达成合作。

4月3日,台积电宣布,率先完成5纳米的架构设计,最快年内就会有第一颗5纳米晶片完成设计定案,预计明年底前进入量产。尽管在7纳米制程落后于台积电,但在5纳米方面,三星却迎头赶上。4月16日,三星官网发文称已经完成了5纳米 FinFET工艺技术的开发,现已准备好为用户提供样品。与7纳米相比,5纳米将提高25%晶片逻辑区域效率,降低20%功耗,并提高10%性能。

近日,三星电子发布其3nm工艺技术路线图,与台积电再次在3nm节点上展开竞争。三星从2002年以来一直在开发GAA技术,通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该技术可以显著增强晶体管性能,从而实现3nm工艺的制造,预计将于2021年量产。面对三星在3nm上的领先,台积电也不甘落后,早前台积电便宣布投入大量资金兴建3nm工厂,希望在2020年动工,最快于2022年年底开始量产。

二者在经费投入方面也从不打折扣,此前,台积电宣布在南科六厂旁新建8寸厂,来扩充产能;今年4月,三星电子宣布未来十年将投资133万亿韩元(约1160亿美元),其中韩国国内研发经费将占73万亿韩元,生产基础设施占60万亿韩元,以扩大其逻辑芯片和芯片代工业务。

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