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这性能,谁敢来一较高下? 三星870 QVO固态2TB评测

2020-07-20 17:14
IT168
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随着国际间贸易动荡的影响,半导体存储行业的重要性越发凸显,再加上物联网开始普及,数据已经从数字化生活的副产品,转变成为全球经济的驱动引擎,所以对存储行业造成了巨大的需求增长。为了满足这个需求,各大闪存原厂开始不断在闪存堆栈层数上创新,三星作为存储芯片领域的领头羊,不断缔造创新,不断突破技术的界限,给我们带来更多可选空间。

近日,继三星推出860 QVO固态硬盘之后,又推出了更大容量、搭载9X层第二代QLC NAND闪存颗粒的固态硬盘,相比上代产品,持续性能提高了21%,智能TurboWrite的耐用性提高到原来的3.8倍,性能炸裂,那这款产品实际的表现如何?接下来就让我们一睹为快吧。

QLC闪存颗粒的大容量优势尽显

众所周知,从上一代三星860 QVO就采用了三星QLC颗粒,看到QLC,大家第一感觉就是去跟SLC、MLC、TLC颗粒去对比,比如说QLC的P/E寿命较低,速度最慢,甚至会认为QLC的应用是一种技术的倒退,所以还有一些用户持观望态度。但实际上目前QLC的技术已经非常成熟。

首先就是成本,目前无论是MLC还是TLC颗粒,更大容量的硬盘价格依然十分昂贵,但是用户的需求已经不能满足于512GB、1TB这样的容量,所以很多产品还是采用了固态+机械储存的解决方案。而QLC NAND最大的优势就是在于成本更低,能够以相同的成本下做出更大容量的产品,所以QLC颗粒的870 QVO 能够做到更大的4TB、8TB,甚至超过了2.5英寸硬盘的最大容量。

其次就是很多网友担心的寿命问题,也就是P/E寿命,通俗地说就是数据读写或擦写次数, P/E寿命的公式是擦写次数*容量/每天擦写量/365,假设1个1TB的QLC颗粒的固态硬盘,每天擦写100GB,意味着它的寿命=1024*100/100/365,约2.8年,但是,这个最大写入次数也是理论上的,超出不一定就100%坏了,对于个人用户来说,能够每天写入超过100GB的数据,恐怕是极少极少的。而三星870 QVO 1TB版本可达到360TB TBW(写入的总字节数),2TB版本为720TB TBW,4TB版本为1440TB TBW, 8TB版本为2880TB TBW,对于正常使用来看,这已经是一个足够大的TBW量了,对于大多数个人来说,恐怕我们的PC早就被淘汰,而硬盘却依然可以继续使用呢。

所以,你需要的超大容量、超低成本、超长的使用寿命,三星870 QVO都做到了。

三星870 QVO固态硬盘的外观

三星870 QVO 的外观与上一代一致,2.5英寸SATA 3接口,全金属打造,表面深灰色磨砂处理,非常轻巧而有质感。在容量上1TB起步,提供了2TB、4TB容量可选,最大8TB容量。8TB也是目前首款8TB的消费级SATA SSD。

在QLC颗粒方面,三星一直都是技术突破的引领者。我们拿到的这款产品是2TB版,使用寿命更长,在某种程度上讲足以取代TLC颗粒,成为更高性价比的新一代消费级存储颗粒。

SATA3接口,现在有一些主机预留了热拔插的扩展位,作为数据存储和移动办公使用非常便捷。

三星870 QVO固态硬盘内部

跟上一代的内部布局基本一样,新款的870QVO固态硬盘也是很小的一块PCB板,基于不同容量的版本也会略有差异,毕竟此次最大容量达到了8TB。

三星870QVO基于高密度QLCV-NAND闪存,正反面各一块组成2TB,除了性能上的提升,在使用寿命上,根据三星官方的数据显示,1TB版本为360TB TBW(写入的总字节数),2TB版本为720TB TBW, 4TB版本为1,440TB TBW, 8TB版本为2,880TB TBW。换算到日常应用,可能大多数用户都很难达到如此量级的TBW,况且还有三星三年质保,所以无需担心售后服务。

中间的芯片是最新的MKX控制器,基于ARM架构。最右侧的是2GB LPDDR4缓存,值得一提的是,得益于智能TurboWrite技术,这款硬盘还支持6GB的模拟SLC缓存和最大72GB的智能缓存来保证日常高负荷的大文件写入速度。

三星官方给出的数据,2TB版870 QVO SSD读取速度最高可达560MB/s,写入速度最高为530 MB/s,这几乎是SATA接口可以实现的最高性能。

接下来我们不妨来看看实测性能。

测试平台

我们此次测试的平台硬件搭载的是英特尔九代酷睿i9-9900k处理器,8核心16线程。显卡为英伟达RTX 2080独立显卡,内存为2×16GB DDR4-2666MHz双通道。系统硬盘是三星 PCIe 1TB固态硬盘,微软Windows 10 家庭中文版,均升级到最新版本,办公室环境温度约28°C。

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