瑞典Ionautics HiPSTER 25重磅新品! SiC晶体管引领HiPIMS高效镀膜新时代,镀膜效率显著提升
在当今高科技材料加工和表面改性领域,高性能离子镀膜技术(HiPIMS)正以其独特的优势,推动着整个行业的快速发展。作为该领域的领航者,瑞典Ionautics始终致力于技术创新与突破,为全球客户提供最优质的产品和服务。近日,全新升级的HiPSTER 25设备。这款设备集成了尖端碳化硅(SiC)晶体管技术,不仅在性能上实现了质的飞跃,更在高效运行模式上进行了重新定义。HiPSTER 25的问世,使得设备在运行时能够更加稳定、高效。同时,HiPSTER 25在性能上也得到了显著提升,能够满足客户对于高精度、高质量镀膜的需求。此外,该设备还具备出色的节能效果,为客户节省了大量的运行成本。
SiC晶体管性能与效率的双重飞跃
HiPSTER 25的核心竞争力在于其采用的SiC晶体管。SiC作为一种新型半导体材料,以其出色的耐高温、高频率特性和卓越的导电性能,成为替代传统硅基材料的理想选择。在HiPIMS系统中,SiC晶体管能够承受更高的工作温度和更快的开关速度,这直接转化为更高的能量效率和更稳定的工艺输出。通过减少能量损失和热管理挑战,HiPSTER 25为用户提供了工艺灵活性和稳定性,确保了镀膜过程的精确控制和质量一致性。
双极HiPIMS技术
作为新一代HiPIMS技术的代表,HiPSTER双极HiPIMS装置在专业设计团队的精心打造下,展现了卓越的技术创新。双极运行模式是该系统的亮点之一,它允许在无需基底偏压的情况下实现离子加速,简化了工艺步骤,还提升了镀膜的质量和均匀性。通过精确调控离子能量和方向,HiPSTER 25能够在各种基材上实现更光滑、更致密的涂层,这对于提高产品的耐磨性、耐腐蚀性和光学性能至关重要。HiPSTER 25的另一个显著优势在于其稳定的工艺控制能力。通过集成多个工艺参数调整选项,用户可以根据具体需求精细调节镀膜过程中的各项参数,如气体流量、放电电压和脉冲频率等。这种高度的可定制性确保了无论是硬质涂层、光学镀膜还是电气涂层,都能获得最佳的镀膜效果。此外,系统支持从外部触发多个电源,为复杂的多层镀膜和复合结构镀膜提供了可能,进一步拓宽了应用范围。
超快开关技术与脉冲控制
新型开关技术的引入,使得HiPSTER 25的HiPIMS脉冲频率高达150 kHz,这是传统系统难以企及的速度。高频脉冲不仅能够显著提高镀膜效率,还能促进更均匀、更致密的薄膜沉积,尤其是在处理复杂三维结构时表现尤为突出。增强的HiPIMS脉冲控制功能,使得用户能够精确控制脉冲的形状、宽度和能量分布,为开发新型材料和优化现有工艺的工具。
HiPSTER 25广泛的应用领域和优势
为了进一步提升镀膜的稳定性和沉积率,HiPSTER 25集成了Ionautics的反应过程控制系统。该系统通过实时监测和调节镀膜过程中的化学反应,确保镀膜成分和结构的精确控制,减少缺陷和杂质,提高镀膜的整体质量和一致性。无论是反应式HiPIMS还是其他类型的磁控管和工艺,HiPSTER 25都经过了广泛的测试和优化,确保了其在各种应用场景下的优异表现,还具有以下优势:
输出规格
输出平均功率: < 25KW
调节模式:电压、电流、功率、脉冲电流、脉冲电荷
脉冲充电电弧控制反应时间:<2μs
输入规格
输入电压交流:1 phase + N, 100-240 VAC, 50/60 Hz
230 V 时的输入电流:0.3A
直流充电输入:最大1000 V,完全浮动 +/- 1 kV kV 距地
远程通信:RS 232、RS 485、EtherCat、Proibus
单极模式(负脉冲)
输出峰值电压:≤1000V
输出峰值电流:≤ 1500A
脉冲持续时间:3.5 μs 至 1000 μs
脉冲频率:50 至 10000 Hz
可选双极模式(正脉冲)
输出峰值电压:≤250V
脉冲持续时间:≤ 1500μs
脉冲延迟:3.5μs至1000μs
可选脉冲模式直流
脉冲频率:高达 150 kHz
1、双极运行:提供离子加速功能,无需额外施加基底偏压,简化了工艺步骤并提升了镀膜质量。
2、多参数工艺控制:通过调节多个工艺参数,实现稳定而强大的工艺控制能力,确保镀膜过程的精确性和一致性。
3、外部触发功能:支持从外部触发(包括多个电源),为复杂的多层镀膜和复合结构镀膜提供了灵活性和便利性。
4、高频脉冲技术:采用新型开关技术,使HiPIMS脉冲频率高达150 kHz,显著提高了镀膜效率和均匀性。
5、兼容多种磁控管和工艺:经过多种磁控管和工艺(包括反应式HiPIMS)的测试,确保了广泛的适用性和兼容性。
6、Ionautics反应过程控制:增加Ionautics的反应过程控制系统,通过实时监测和调节镀膜过程中的化学反应,提高了镀膜的稳定性和沉积率。
此外,HiPSTER 25还广泛应用于扩散屏障和电气涂层的制备中。通过增加涂层密度,提高了扩散屏障的阻隔性能,有效防止了不同材料间的相互渗透。在电气涂层方面,HiPSTER 25通过减少涂层厚度和降低热负荷,显著提高了导电材料的导电性,同时增强了绝缘体的隔离效果,为电子封装和电力传输领域提供了高效的解决方案。在三维涂层方面,HiPSTER 25展现了其镀膜均匀性,能够在形状复杂的基材上实现薄膜的均匀覆盖,这对于航空航天、医疗器械和汽车制造等行业具有重要意义HiPSTER 25作为高性能离子镀膜技术(HiPIMS)的杰出代表,凭借其集成的尖端碳化硅(SiC)晶体管、双极HiPIMS技术、超快开关技术与脉冲控制,以及Ionautics反应过程控制系统,已经在多个领域展现出了卓越的性能和广泛的应用潜力。
HiPSTER 25的成功源于Ionautics深厚的行业积累和技术创新,在其持续创新和不懈努力下,HiPSTER 25将继续引领HiPIMS技术发展,为高科技材料加工和表面改性领域注入新活力,并成为连接全球客户与Ionautics的桥梁,共同推动离子镀膜技术的不断进步和广泛应用。
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